欢迎来到九州ku娱乐app官网
栏目内容

硅-硅键合片

当外延层厚度大于50um,硅-硅键合片具有更好的成本优势。 


对于高压器件,例如MOSFET和IGBT来说,是可行的替代材料。


良好的TEM和SRP测试结果,确保硅-硅键合片的质量。